大家好，我是太侠，行业智库《侠说》主理人，内含6.2万行业报告，6000+会员。

本篇正文内容如下：

“一台机器卖1.5亿美元，比波音787客机还贵，还得排队两年才能提货，关键是人家想不卖就不卖。”

这不是什么奢侈品，而是芯片制造的“心脏”——光刻机。

过去几十年，中国芯片产业的痛点有多痛，就取决于我们离顶尖光刻机有多远。

但最近一条消息让整个行业沸腾：哈尔滨工业大学官宣研制出13.5nm波长EUV光源，中科院上海光机所也实现全固态深紫外光源突破，这意味着中国芯片工艺理论上能摸到3nm的门槛了！

从连90nm技术都要进口，到逼近全球顶尖的3nm，中国光刻机走了40年。这段逆袭路，比你想象的更硬核。

光刻机到底有多“神”？

很多人听过“光刻机是人类工业皇冠上的明珠”，但可能没概念它到底是干嘛的。 说白了，它就是芯片工厂的“超级印钞机”，只不过印的不是钱，是比头发丝细千倍的电路。

打个比方：芯片就像一块超精密的电路板，上面的电路要细到纳米级——1nm相当于把1根头发丝分成10万份。

光刻机的任务，就是把设计好的电路图案，精准“印”到硅片上。

这个过程难在哪？举个细节：曝光时硅片和掩模的对位精度要控制在几纳米内，相当于从北京到上海的距离，误差不能超过1根头发丝。

更狠的是， EUV光刻机里有10万个零件，任何一个出问题都可能导致整机报废。

正因为这么难，它才成了“卡脖子”的关键：全球能造EUV光刻机的只有荷兰ASML一家，高端市场占比超90%。2024年它卖了44台EUV，每台均价2.05亿美元，还得优先供给三星、台积电。

ASML如何靠“押注”逆袭？

其实光刻机的江湖，不是一开始就ASML一家独大。这背后是美日荷三国的30年博弈，也藏着中国可借鉴的逆袭逻辑。

1970年代，美国是绝对霸主。Perkin-Elmer发明了 投影式光刻机，解决了早期接触式光刻的污染问题；GCA又搞出步进式技术，兼顾了精度和产能，那时候美国厂商垄断了全球市场。

到了80年代，日本企业靠“举国之力”翻盘。尼康和佳能依托日本精密光学的积累，加上政府VLSI计划的扶持，在 DUV光刻技术上实现突破，把美国厂商挤到二线，巅峰时占据全球70%的市场。

ASML的逆袭，靠的是两次关键“押注”。1990年代末，它还只是飞利浦旗下的小部门，却敢赌两个没人看好的技术：

双工件台技术：别人都用单台作业，ASML搞了两个工作台，一个曝光时另一个同步调焦对准，直接把产能提升35%，彻底解决了“慢”的痛点。

浸没式光刻：2000年左右，大家都在纠结要不要搞157nm光源，台积电工程师林本坚提出“用纯净水当介质，把193nm光源等效缩短到134nm”。尼康不屑一顾，ASML却果断合作，2007年就推出商用机型，直接超越尼康登顶。

更狠的是EUV时代，ASML拉上Intel、三星、台积电一起入股，凑了13.8亿欧元研发，把光源、光学、机械等全球顶尖技术整合到自己手里，最终成为无可替代的巨头。

中国逆袭路：从0.1%到逼近3nm的四步走

和全球巨头比，中国光刻机起步不算晚——1966年就造出了第一台接触式光刻机，但90年代因为市场换技术的思路，研发一度停滞，到2022年国产化率还不足1%。

真正的突破，始于2008年启动的“02专项”（极大规模集成电路制造装备专项）。这个专项没有单打独斗，而是搞“举国协同”： 上海微电子负责整机集成，清华攻双工件台，浙大搞浸液系统，长光所和上光所做光学系统，就像搭积木一样，把每个短板补上。

这十几年，我们走了扎实的四步：

2016年：商业化破冰上海微电子推出90nm ArF光刻机SSA600系列，虽然比ASML落后一代，但实现了“从0到1”的突破，能满足中低端芯片的需求，当年就实现出货。

2020年：核心部件破垄断华卓精科研发的双工件台量产，打破了ASML的独家垄断。要知道，这个部件精度要求是“纳米级同步”，相当于两个运动员以每秒3米的速度跑步，脚步差不能超过一根头发丝。

2025年：光源技术大突破哈尔滨工业大学官宣搞出13.5nm EUV光源，中科院上海光机所也实现全固态深紫外光源突破。光源是光刻机的“心脏”，EUV光源的突破，意味着我们理论上能摸到3nm工艺的门槛。

全产业链觉醒不只是整机，我们的零部件也在突围：福晶科技的激光晶体供过ASML，茂莱光学的高精度透镜进入上海微电子供应链，华特气体的光刻气通过ASML认证，就连光刻机需要的ISO Class 1级洁净环境，美埃科技也搞定了。

我们离“赶超”还有多远？

看到这里可能有人问：既然突破了3nm光源，是不是很快就能造EUV光刻机了？答案是：还要时间，但希望就在眼前。

目前我们的短板，主要在两个地方：一是EUV的多层膜反射镜，蔡司的反射率能做到70%以上，我们还在追赶；二是量产稳定性，实验室突破到工厂量产，还有很长的路要走，ASML的EUV从研发到量产用了13年。

但好消息是，我们的优势越来越明显：中国是全球最大的芯片市场，2024年占ASML营收的41%，庞大的需求能快速消化研发成本；而且我们的研发投入持续加码，2024年 半导体设备研发投入同比增长35%，远超全球平均水平。

就像当年ASML从追随者逆袭成巨头一样，中国光刻机的突破，从来不是“突然爆发”，而是40年积累、15年专项攻坚、全产业链协同的结果。从90nm到3nm，从0.1%到逐步替代，这条逆袭路，我们走得稳且坚定。

或许再给几年时间，当我们的EUV光刻机量产时，“卡脖子”这三个字，就会彻底成为历史。

毕竟，中国人最擅长的，就是把“不可能”变成“我能行”。

本文太侠拆解自《2025光刻机行业国产替代进程、核心子系统突破与产业链标的分析报告.pdf》。

大家好，我是太侠，行业智库《侠说》主理人，内含6.2万行业报告，6000+会员。

本篇正文内容如下：

“一台机器卖1.5亿美元，比波音787客机还贵，还得排队两年才能提货，关键是人家想不卖就不卖。”

这不是什么奢侈品，而是芯片制造的“心脏”——光刻机。

过去几十年，中国芯片产业的痛点有多痛，就取决于我们离顶尖光刻机有多远。

但最近一条消息让整个行业沸腾：哈尔滨工业大学官宣研制出13.5nm波长EUV光源，中科院上海光机所也实现全固态深紫外光源突破，这意味着中国芯片工艺理论上能摸到3nm的门槛了！

从连90nm技术都要进口，到逼近全球顶尖的3nm，中国光刻机走了40年。这段逆袭路，比你想象的更硬核。

光刻机到底有多“神”？

很多人听过“光刻机是人类工业皇冠上的明珠”，但可能没概念它到底是干嘛的。 说白了，它就是芯片工厂的“超级印钞机”，只不过印的不是钱，是比头发丝细千倍的电路。

打个比方：芯片就像一块超精密的电路板，上面的电路要细到纳米级——1nm相当于把1根头发丝分成10万份。

光刻机的任务，就是把设计好的电路图案，精准“印”到硅片上。

这个过程难在哪？举个细节：曝光时硅片和掩模的对位精度要控制在几纳米内，相当于从北京到上海的距离，误差不能超过1根头发丝。

更狠的是， EUV光刻机里有10万个零件，任何一个出问题都可能导致整机报废。

正因为这么难，它才成了“卡脖子”的关键：全球能造EUV光刻机的只有荷兰ASML一家，高端市场占比超90%。2024年它卖了44台EUV，每台均价2.05亿美元，还得优先供给三星、台积电。

ASML如何靠“押注”逆袭？

其实光刻机的江湖，不是一开始就ASML一家独大。这背后是美日荷三国的30年博弈，也藏着中国可借鉴的逆袭逻辑。

1970年代，美国是绝对霸主。Perkin-Elmer发明了 投影式光刻机，解决了早期接触式光刻的污染问题；GCA又搞出步进式技术，兼顾了精度和产能，那时候美国厂商垄断了全球市场。

到了80年代，日本企业靠“举国之力”翻盘。尼康和佳能依托日本精密光学的积累，加上政府VLSI计划的扶持，在 DUV光刻技术上实现突破，把美国厂商挤到二线，巅峰时占据全球70%的市场。

ASML的逆袭，靠的是两次关键“押注”。1990年代末，它还只是飞利浦旗下的小部门，却敢赌两个没人看好的技术：

双工件台技术：别人都用单台作业，ASML搞了两个工作台，一个曝光时另一个同步调焦对准，直接把产能提升35%，彻底解决了“慢”的痛点。

浸没式光刻：2000年左右，大家都在纠结要不要搞157nm光源，台积电工程师林本坚提出“用纯净水当介质，把193nm光源等效缩短到134nm”。尼康不屑一顾，ASML却果断合作，2007年就推出商用机型，直接超越尼康登顶。

更狠的是EUV时代，ASML拉上Intel、三星、台积电一起入股，凑了13.8亿欧元研发，把光源、光学、机械等全球顶尖技术整合到自己手里，最终成为无可替代的巨头。

中国逆袭路：从0.1%到逼近3nm的四步走

和全球巨头比，中国光刻机起步不算晚——1966年就造出了第一台接触式光刻机，但90年代因为市场换技术的思路，研发一度停滞，到2022年国产化率还不足1%。

真正的突破，始于2008年启动的“02专项”（极大规模集成电路制造装备专项）。这个专项没有单打独斗，而是搞“举国协同”： 上海微电子负责整机集成，清华攻双工件台，浙大搞浸液系统，长光所和上光所做光学系统，就像搭积木一样，把每个短板补上。

这十几年，我们走了扎实的四步：

2016年：商业化破冰上海微电子推出90nm ArF光刻机SSA600系列，虽然比ASML落后一代，但实现了“从0到1”的突破，能满足中低端芯片的需求，当年就实现出货。

2020年：核心部件破垄断华卓精科研发的双工件台量产，打破了ASML的独家垄断。要知道，这个部件精度要求是“纳米级同步”，相当于两个运动员以每秒3米的速度跑步，脚步差不能超过一根头发丝。

2025年：光源技术大突破哈尔滨工业大学官宣搞出13.5nm EUV光源，中科院上海光机所也实现全固态深紫外光源突破。光源是光刻机的“心脏”，EUV光源的突破，意味着我们理论上能摸到3nm工艺的门槛。

全产业链觉醒不只是整机，我们的零部件也在突围：福晶科技的激光晶体供过ASML，茂莱光学的高精度透镜进入上海微电子供应链，华特气体的光刻气通过ASML认证，就连光刻机需要的ISO Class 1级洁净环境，美埃科技也搞定了。

我们离“赶超”还有多远？

看到这里可能有人问：既然突破了3nm光源，是不是很快就能造EUV光刻机了？答案是：还要时间，但希望就在眼前。

目前我们的短板，主要在两个地方：一是EUV的多层膜反射镜，蔡司的反射率能做到70%以上，我们还在追赶；二是量产稳定性，实验室突破到工厂量产，还有很长的路要走，ASML的EUV从研发到量产用了13年。

但好消息是，我们的优势越来越明显：中国是全球最大的芯片市场，2024年占ASML营收的41%，庞大的需求能快速消化研发成本；而且我们的研发投入持续加码，2024年 半导体设备研发投入同比增长35%，远超全球平均水平。

就像当年ASML从追随者逆袭成巨头一样，中国光刻机的突破，从来不是“突然爆发”，而是40年积累、15年专项攻坚、全产业链协同的结果。从90nm到3nm，从0.1%到逐步替代，这条逆袭路，我们走得稳且坚定。

或许再给几年时间，当我们的EUV光刻机量产时，“卡脖子”这三个字，就会彻底成为历史。

毕竟，中国人最擅长的，就是把“不可能”变成“我能行”。

本文太侠拆解自《2025光刻机行业国产替代进程、核心子系统突破与产业链标的分析报告.pdf》